新聞 : Panasonic 攜聯電研發次世代 ReRAM；採 40nm、明年送樣

Panasonic 1 日發布新聞稿宣布，旗下半導體子公司 Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.（以下簡稱 PSSC）
將和台灣聯電（UMC）攜手研發「可變電阻式記憶體」（ReRAM）的次世代（40nm）量產製程。
ReRAM 和現行已廣為普及的快閃記憶體（Flash Memory）一樣，是非揮發性記憶體的一種，其特色就是結構簡單、
處理速度快以及低耗電力，而 PSSC 已於 2013 年量產採用 180nm 製程技術的 ReRAM 產品。
Panasonic 指出，此次的合作將融合 PSSC 研發的 40nm ReRAM 製程技術和聯電高可靠度 CMOS 製程技術，
而 PSSC 將在 2018 年進行 40nm ReRAM 的樣品出貨。

據日經新聞報導，Panasonic 上述採用 40nm 製程技術的 ReRAM 產品將在 2019 年進行量產，其中 Panasonic 負責設計、
回路形成等製造技術將由雙方攜手研發，量產工作將委由聯電負責，
且 Panasonic 計劃早期將該 40nm ReRAM 年營收提高至 50 億日圓左右的水準。
據報導，和現行主流的記憶體相比，ReRAM 耗電力可縮減至七分之一，而 Panasonic 目標是藉由 ReRAM 取代三星、
東芝所量產的 NAND 型快閃記憶體部分市場。

由 MoneyDJ新聞 轉載