新聞 : 紫光、南京敲定半導體基地建設，擴張 3D NAND Flash 產能

中國紫光集團董事長趙偉國日前才透露，
未來一年將再砸 460 億美元在中國成都、南京各建一座晶圓廠，
而話才說沒多久，18 日紫光與南京市政府已就半導體產業基地項目正式簽約。

18 日紫光集團與南京市政府正式就半導體產業基地項目進行簽約，
包含紫光集團董事長趙偉國、南京市所轄江蘇省委書記李強、省委副書記暨省長石泰峰、
南京市委書記吳政隆等人都出席簽約儀式。

據悉，此次半導體基地投資主要將用於生產 3D NAND Flash、DRAM 等記憶體晶片，
土地面積約 1500 畝，一期將投入約 100 億美元，目標月產能約 10 萬片，但官方並未透露量產的明確時程。

以建設項目來看，這個投資案可能還得等等，紫光集團聯合武漢新芯共組長江存儲，
有意從 3D NAND Flash 取道進入記憶體產業，
技術來源就是與現已併入賽普拉斯（Cypress）的飛索半導體（Spansion）合作，
傳聞雙方目標在 2017 年或 2018 年初推出 32 層堆疊 3D NAND Flash，然目前仍未有動靜，
長江存儲近日甚至發布新聞稿澄清，從未發表過  32 層 3D NAND Flash 今年量產的消息，
目前連要生產的產品都還未有著落。

紫光/長江存儲量產 3D NAND Flash 產品的廠房日前才在 12 月底動土，
項目總投資金額約 240 億美元，預期於 2018 年完成建廠投產、2020 年完成整個項目，
總產能將達到 30 萬片一個月。

紫光集團趙偉國在 11 日喊出 2017 年將在南京與成都再投資半導體製造基地，
這三個基地的總投資金額超過 700 億美元。

紫光與成都政府去年 12 月 13 日已簽署《紫光 IC 國際城項目合作框架協議》規劃於成都建廠，
現在 18 日再與南京市政府簽約，就看紫光何時真正開始展開建設！

由 TechNews科技新報 轉載