新聞 : 2017 年中國延續新建晶圓廠熱潮 支出金額將一舉突破 40 億美元

根據 SEMI (國際半導體產業協會) 的最新研究數據表示，
當前中國正掀起興建晶圓廠的熱潮，預估 2017 年時，
中國興建晶圓廠的支出金額將超過 40 億美元，佔全球晶圓廠支出總金額的 70%。

而來到2018年，中國建造晶圓廠相關支出更將成長至 100 億美元，
而其中又將以晶圓代工佔其總支出的一半以上。

SEMI 台灣產業研究資深經理曾瑞榆指出，
2017 年全球半導體產產值可望達到 7.2% 的年成長率。
其中，記憶體為其中成長的關鍵。而未來 5 年之內，全球半導體產業仍將持續成長，
到了 2020 年將逼近 4,000 億美元市場規模，每年的複合成長率都將維持一定的水準。

而以 2017 年來說，晶圓廠的相關支出將會以晶圓代工與 3D NAND 快閃記憶體為大宗。
其中，記憶體支出達 227 億美元，晶圓代工的支出則來到 145 億美元。
至於，在 DRAM 方面，因為近期廠商多轉入 2X 奈米製程上，並無明顯新增產能。
預計到 2018 年之後，技術轉進 1X 奈米製程，屆時才會有比較多的產能開出。

而以 2017 年來說，晶圓廠的相關支出將會以晶圓代工與 3D NAND 快閃記憶體為大宗。
其中，記憶體支出達 227 億美元，晶圓代工的支出則來到 145 億美元。
至於，在 DRAM 方面，因為近期廠商多轉入 2X 奈米製程上，並無明顯新增產能。
預計到 2018 年之後，技術轉進 1X 奈米製程，屆時才會有比較多的產能開出。

曾瑞榆進一步指出，就個別廠商來觀察，
2018 年之前，中國企業的投資金額都將少於來自台灣及南韓等半導體企業的支出。
但是自 2019 年之後，中國本土廠商投資金額將呈現跳躍式成長，首度超越外商的支出金額。
時至 2019 年，中國半導體產能在全球佔有率將由 2016 年的 12% 提升提高至 17% 的規模，
逐漸提升其在全球半導體產業的地位。

由 財經新報 轉載