新聞 : 中國先行試產出 40 奈米 ReRAM，進一步卡位記憶體市場

近年來，中國政府為了達成在 2018 年晶片自給率的要求，正全面扶植中國半導體廠商。使得以紫光為代表的中國半導體企業，
正在斥資數百億美元的資金，投入 NAND、DRAM 等記憶體產業的發展，期望在不久的將來能推出中國國產的 3D NAND 快閃記憶體。
只是，在 NAND 記憶體的領域中，中國企業的發展已經晚了二十多年，對既有的台韓美等廠商起不了憾動作用。
因此，就將希望放在新一代記憶體技術上。日前，中芯國際（SMIC）日前正式出樣 40 奈米製程的 ReRAM 
（非易失性阻變式存儲器）記憶體，就是一個明顯的例子。
在記憶體領域中，NAND 快閃記憶是目前的絕對主流。因為在未來的 3 到 5 年間，相關電子產品的儲存應用
都還離不開快閃記憶體的情況下，快閃記憶體的市場依舊會保持成長。即便如此，相關研究人員卻早已針對下一代記憶體進行布局。
其 ReRAM 就是其中的代表。
這種比 NAND 快閃記憶體速度快 1,000 倍的新型記憶體，雖然名字中帶 RAM。不過，ReRAM 其實更像 NAND 快閃記憶體那樣
用做數據儲存來使用。只不過它的性能更強，具有密度比 DRAM 高 40 倍、讀取速度快 100 倍、寫入速度快 1,000 倍、
耐久度高 1,000 倍的特點。使得 ReRAM 單晶片（約 200 平方毫米左右）即可達到 TB 級容量的儲存；而且，還具備結構簡單、
易於製造等優點。

而說到 ReRAM 的發展，就不得不提到 Crossbar 公司。根據該公司資料，Crossbar 是最先研發出 ReRAM 技術的公司。
2016 年 Crossbar 總計獲得了 8,000 萬美元的投資，其中也有中國企業參與。而 Crossbar 於 2016 年 3 月份也宣布進軍中國市場，
他們的合作夥伴就是中芯國際。因此，進一步採用中芯國際的 40 奈米的 CMOS 來試產 ReRAM 晶片。
根據 Crossbar 副總裁 Sylvain Dubois 表示，2016 年開始，中芯國際已經開始給客戶出樣 40 奈米製程的 ReRAM 晶片，
達成了該公司之前所說，2016 年內推出 ReRAM 的承諾。而未來，28 奈米製程的 ReRAM 晶片也將會在 2017 年上半年推出。
只不過，Sylvain Dubois 並沒有鬆口表示，未來 28 奈米製程的 ReRAM 晶片是否還是由中芯國際生產，或是有可能交給其他代工廠來生產。

由 財經新報  轉載