新聞 : SK 海力士正式開槍！砸 27 億美元 NAND 建新廠、DRAM 喊擴產

需求回溫、產能擴增有限，供需失衡下，DRAM 價格在 2016 年下半逆勢翻轉，
而原本看俏的 NAND Flash 在廠商間轉進 3D NAND 良率還未提升下，同樣面臨缺貨。
先前調研機構集邦科技、IHS 都預估，
明年記憶體價格下跌不易，且有一定的成長，現在廠商也開始蠢蠢欲動，
先前擴產消息頻傳的 SK 海力士也正式宣布砸總計約 3.15 兆韓圜（約 27 億美元）建新廠、擴產能。

韓國大廠 SK 海力士在去年 8 月 M14 廠完工典禮上，
表態要在十年內，於韓國利川、清洲等地加碼建置三座半導體廠房。

而今 22 日 SK 海力士公布了最新的新廠投資計畫，
SK 海力士表示，新廠將座落韓國清州市科技城，
將於下個月展開設計、明年 8 月開始外殼結構與無塵室建構，並於 2019 年 6 月完工，
而屆時的設備機台安裝將視公司的遷移計畫而定，
可以確定的是，新廠總投資金額將來到 2.2 兆韓圜，主要用於 NAND Flash 產能的布建。

韓國清州自 2008 年以來，即為 SK 海力士 NAND Flash 生產的大本營，
海力士新建的利川 M14 廠雖將於明年轉進 3D NAND Flash 量產，
但官方進一步指出，為了因應接下來 3D NAND Flash 滲透率持續攀升、加以建廠時需兩年，
因此決議提前新建廠房布局。

而 DRAM 市佔的擴展 SK 海力士也沒打算放過，
SK 海力士 22 日同日也宣布，擴張中國無錫廠 DRAM 產能，
官方指出，無錫廠已佔海力士 DRAM 產能的一半，
將在 2017 年 7 月至 2019 年 4 月期間，投資 9,900 億韓圜擴增無塵室提升產量。

調研機構 IHS 近日發布報告預估， 
2017 年 DRAM、NAND Flash 平均銷售價格（ASP）分別有 11%、10% 的增長，總產值來到 853 億美元，
到了 2020 年整體記憶體產值估計能突破 1,000 億大關、2021 年達到 1,100 億美元。
2016~2021 年記憶體市場年複合成長率約在 7.3%。

由 TechNews科技新報 轉載