新聞 : 美光宣布 3D NAND 快閃記憶體年底前大量投產

本周宣佈正式合併台塑旗下記憶體廠華亞科的美商記憶體大廠美光 （Micron） 在 15 日表示，
由於該公司的 3D NAND 快閃記憶體產能日前正式超過 2D NAND 快閃記憶體。

其中，包括第 1 代 3D NAND 快閃記憶體的成本也符合預期，
堆疊層數達到 64 層的第 2 代 3D NAND 快閃記憶體也在已經準備完成，
預計將在 2016 年底要正式大規模量產。

根據外媒報導，美光公司財務長 Ernie Maddock 在 15 日參加巴克萊銀行全球技術、媒體及通訊大會上表示，
該公司的 3D NAND 快閃記憶體產能與 2D NAND 快閃記憶體產能已經來到交叉點上。
也就是說，3D NAND 快閃記憶體的產能，以容量計算，將要超過 2D NAND 快閃記憶體。

此外，Ernie Maddock 還表示，美光的第 1 代 3D NAND 快閃記憶體在降低生產成本上已經達到預期目標。
由於，美光在 2016 年上半年的發展路線上曾指出，
未來預計 3D NAND 快閃記憶體的成本，將要比 2D NAND 降低至少 20% 左右。
如今，已經實現降低 20% 到 25% 的成本。
這樣的情況，對於未來將開始在新加坡 Fab 10X 晶圓廠大規模量產來說，有著其正面的幫助。

目前市場上許多固態硬碟 （SSD） 都已經轉向 3D NAND 快閃記憶體。
因為，不論是性能，還是容量，或者是使用壽命，
3D NAND 快閃記憶體都要比傳統 2D NAND 快閃記憶體好得多。

而且，廠商也會借此來降低生產成本，以提高產量。
就美光為例，其所生產的 2D NAND 快閃記憶體，主力是 16 奈米製程的產品，
MLC/TLC 快閃記憶體的核心容量不過 128Gb。
但是，藉由 3D NAND 技術的 MLC 快閃記憶體核心容量就有 256Gb，
TLC 更是達到 384Gb，大大優於 2D NAND 快閃記憶體。

事實上，在轉向 3D NAND 生產方面，實力最強的仍以南韓三星領先，
東芝 （Toshiba）/ Sandisk 與 SK 海力士其次，
英特爾 （Intel） 和美光的動作算是比較慢的了。
不過，一旦 3D NAND 快閃記憶體開始量產，由於容量先天性的優勢，
產能超過 2D NAND 快閃記憶體將是遲早的事。

由 財經新報 轉載