新聞 : NAND進入3D時代最快明年下半年

NAND Flash（儲存型快閃記憶體）原廠今年積極轉進3D-NAND，
不過製程難度高，良率總是無法有效提升，
業者評估最快要等到明年下半年，3D-NAND的產出才會明顯加快，真正進入3D-NAND時代，
屆時將助於緩解目前嚴重缺貨的情況。

隨著儲存容量及效能需求，NAND Flash主要供應商
三星、海力士、東芝、美光今年下半年陸續轉進3D-NAND Flash，
透過堆疊層數的增加及製程技術的改進，突破2D-NAND發展限制，
但2D-NAND產能遭到排擠而降低，加上智慧型手機嵌入式記憶體容量提高，
大舉刺激NAND Flash產業呈現供不應求。

供不應求將延續
集邦科技研究協理楊文得指出，明年將是NAND Flash產業充滿挑戰與機會的1年，
由於2D-NAND Flash產能依舊快速下滑，而3D-NAND Flash 的進度與良率提升充滿挑戰，
明年將延續NAND Flash供不應求情況。