新聞 : NAND勢力版圖將劇變？長江存儲找美光洽談技術合作

日經新聞18日報導，
背後有中國政府撐腰的半導體大廠長江存儲科技已和美國美光(Micron)就技術合作展開協商，
長江存儲目標藉由美光的技術於2019年量產使用於智慧手機等用途的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)，
而此恐改變現行由日美韓廠商寡佔的全球NAND Flash勢力版圖。

報導指出，長江存儲副董事長、
也擔任長江存儲大股東「國家集成電路產業投資基金(大基金)」總裁職務的丁文武17日接受採訪時表示，
「希望能導入NAND Flash新技術，因此正和美光進行協商，且希望能在明年談出個結果」；

丁文武並指出，「除美光之外，也對東芝等海外大廠打開協商大門、不排除進行合作的可能性」。
但半導體業界關係人士認為，「長江存儲的合作協商優先順序以美光較高」。

據報導，長江存儲是以中國紫光集團的記憶體部門為母體、並獲得大基金等出資所設立，計
畫砸下240億美元興建全球最大規模NAND Flash工廠，預計於2019年開始生產，
目標在2020年將月產能提高30萬片(以12吋晶圓換算)、2030年進一步擴大至100萬片。

根據IHS Technology的資料顯示，
2015年三星電子於全球NAND Flash市場拿下30.8%的市佔率(以金額換算、以下同)位居首位，
其次為東芝(Toshiba)的19.4%、Western Digital(WD)的15.6%、
美光的14.7%、SK Hynix的11.8%、英特爾(Intel)的6.8%。

日經新聞9月11日報導，在中國境內，其國內外半導體廠商將進行大規模增產，
包含紫光集團計畫興建的巨大記憶體工廠在內，預估中國境內最少有10座半導體工廠的興建計畫，
預估截至2020年為止的5年內，中國境內的半導體總投資額將較過去5年增加一倍至5兆日圓的規模。

報導指出，紫光集團旗下擁有晶圓代工廠武漢新芯(XMC)，
且雙方計畫攜手在武漢市砸下2.4兆日圓興建記憶體工廠，
逐步擴增使用於智慧型手機的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)產能、
且之後也計畫將生產項目擴大至DRAM。

除中國廠商之外，外資廠商也加快在中國的投資腳步。
美國英特爾計畫提高大連市記憶體工廠產能、南韓三星電子可能在中國進行追加投資、
台灣台積電(2330)也計畫在南京建廠。

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由 MoneyDJ 財經知識庫 轉載