新聞 : 2017 年中國將推自主生產 32 層堆疊 3D NAND 快閃記憶體

隨著當前智慧型手機、SSD 等產品的市場需求強烈，
包括快閃記憶體、記憶體等儲存晶片需求大量成長，近期價格也擺脫低潮，持續上漲，
這樣的機會點這也給了中國相關企業介入儲存晶片市場的發展契機。

根據外電的報導，在這波儲存晶片的熱潮下，
中國本身也將在 2017 年推出 32 層堆疊的 3D NAND 快閃記憶體。
雖然，這樣的技術相較南韓三星、日本東芝等國際大廠來說仍有落差，
但總是為中國快閃記憶體市場跨出第一步。

在中國發展半導體產業的規劃中，儲存晶片的發展名列最優先位置，也是全國各地都搶著爭取的專案。
其中，中國國家級的儲存晶片基地在武漢，目前投資超過 240 億美元（約新台幣 7,563 億元）。
之前由新芯科技主導，在 2016 年 7 月份紫光集團收購了新芯科技大多數股權之後，
現在已經變成了紫光集團主導，並預計 2017 年正式推出自主生產的 32 層堆疊 3D NAND 快閃記憶體。

2015 年，國家級儲存晶片基地確定落腳武漢之後，
由武漢新芯科技公司負責建設的 12 吋晶圓廠，已經於 2016 年 3 月份正式動工。
整個計畫預計分為三期，現在啟動的是第一期，主要目標是生產 3D NAND 快閃記憶體為主。

而在 2018 年將啟動的第二期建設，規劃是上則是以 DRAM 記憶體為主。

至於， 2019 年啟動第三期建設，主要目標則為晶圓代工服務。
而產能部分，2020 年目標為每月 30 萬片，到了 2030 年則是每月 100 萬片。

2016 年 7 月份，紫光集團收購了新芯科技多數股份之後，
隨即成立了武漢長江存儲科技 （TRST），紫光集團持股超過 50% ，
董事長趙偉國也將兼任長江存儲科技的董事長。

這事情所顯示出的意義，即是紫光集團在收購美光觸礁，購併 WD 也不成功的情況下，
現在總算是可以正式進軍儲存晶片領域。
而且根據規畫，長江存儲最快在 2017 年底，
就將正式推出中國本土生產的 32 層堆疊 3D NAND 快閃記憶體。

過去，新芯科技主要以生產 NOR 快閃記憶體為主，
而當前的 NAND 快閃記憶體其技術層次要高於 NOR 快閃記憶體，
而主要技術來源是飛索半導體（Spansion）。

因此，考慮到與國際大廠三星、Hynix、東芝、美光、Intel 等公司的技術差距，
中國本土生產的 32 層堆疊 3D NAND 快閃記憶體的其已經有一定的技術層次。
只是，2017 年底推出時，這些國際大廠包括 48 層堆疊，
甚至是 64 層堆疊的 3D NAND 快閃記憶體可能早已經問世。

不過，在中國自主發展儲存晶片的政策，
而且相關業者在政府扶持的情況下，未來技術上依舊會持續追趕。
以新芯科技來說，在 2017 年推出 32 層堆疊 3D NAND 快閃記憶體，
也預計將在 2018 年底前推出 48 層堆疊的 3D NAND 快閃記憶體，逐步縮小技術上的差距。

由 TechNews科技新報 轉載