新聞 : 三星帶頭漲 DRAM價衝高

DRAM與儲存型快閃記憶體（NAND Flash）大漲價，
在三星、SK海力士兩大南韓重量級業者主導下，第4季DRAM將再漲價逾一成，
累計下半年大漲逾25%，漲幅最凶猛，NAND同步跟進，華邦、南亞科、群聯等營運喊衝。

記憶體通路商表示，三星新款智慧機Note 7驚傳電池爆炸意外，集團營運壓力大，
肩負三星集團獲利逾八成重擔的半導體部門，決定拉升DRAM和NAND售價，
希望藉此抵銷龐大手機回收造成獲利下滑的壓力；眼見三星大漲價，SK海力士也趁勢調漲價格。

三星和SK海力士先前已陸續於8月調漲DRAM報價，
通路商透露，近期二大韓系廠再通知客戶，9月和第4季漲勢持續，
顯示二大記憶體晶片廠已不樂見DRAM價格長期低迷，
趁下半年手機廠、筆電廠和伺服器廠都為新產品布局，買氣加溫時，同步拉升DRAM和NAND售價，
以DRAM漲勢最為明顯，繼第3季合約價漲價15%之後，第4季會再調漲10%。

記憶體通路商分析，兩大韓系業者持續漲價，
除了三星希望能穩住獲利，彌補Note 7大量回收的損失之外，
各大品牌手機為因應高解析影響處理和儲存需求，
新機搭載DRAM和NAND容量都大幅提升，也是「漲價有理」的關鍵。

例如蘋果iPhone 7新機的DRAM搭載量由原2GB推升至3GB，部分非蘋機種更上推至6GB，
都是以驚人的幅度成長，筆電廠和資料中心所需的伺服器記憶體需求成長性更為驚人。

此外，第4季進入歐美及亞洲零售旺季，包括感恩節、耶誕節及雙十一光棍節等，
各大科技廠都競相備貨搶食商機，韓系大廠在蘋果等主要大廠已包下大部分產能之後，調升售價，
藉由漲勢催促通路端和委託製造代工（OEM）大廠備貨。

同時，韓系大廠將產能轉向行動式記憶體和NAND，造成標準型DRAM缺貨，
不僅近期標準型DRAM現貨價回升，估計第4季漲勢也會以標準型DRAM最明顯，漲幅恐逾一成、甚至可達15%；
行動DRAM漲幅估計也會不小，華邦、南亞科、華亞科等台廠後市看俏。

NAND市場方面，因OEM端客戶不看好非三星陣營3D NAND新製程進度，
加上企業級和筆電固態硬碟（SSD）需求快速升提升，
下游擔心導致供應吃緊，已出現搶料，價格同步看漲。

由 聯合新聞網 轉載