新聞 : 記憶體夯 DRAM合約價估漲逾1成

智慧型手機續成長、iPhone新機備貨需求，加上伺服器與筆電需求增溫，
市場預期將帶動DRAM與NAND Flash第4季價格同步上揚，
尤其DRAM合約價估將漲逾1成，創今年新高價可期，
南亞科（2408）、華邦電（2344）等記憶體族群將受惠。

TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示，
今年中國品牌智慧型手機表現超乎預期，伺服器出貨也受惠數據中心需求而增溫，
下半年台系伺服器代工廠訂單估約較上半年平均成長近2成，
DRAM原廠第2季開始降低標準型記憶體出貨，並大幅調升行動記憶體與伺服器記憶體的產出。

DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，
預估今年第4季行動記憶體出貨比重將逼近45%，
伺服器記憶體出貨比重突破25%，標準型記憶體則僅剩不到20%。

其中，行動記憶體價格走勢，
因部分中國大廠與主要DRAM供應商訂定第4季合約漲價超過1成，
預期第4季行動記憶體漲幅將相當可觀。

筆電市況增溫也是帶動記憶體價格上漲的助力，
DRAMeXchange預估第3季北美地區筆電需求增溫，
惠普與戴爾出貨季成長皆超過8%，造成標準型記憶體供應緊俏，
DDR3與DDR4的4GB模組合約價格終於止跌回穩並站上13.5美元。

預估第4季標準型記憶體價格將持續上漲，
DDR3與DDR4的4GB模組將上看15美元，均價季漲幅將達15%，
明年市況可望將維持健康的供需狀態。

NAND快閃記憶體方面，第3季市場拉貨動能優於預期，
但原廠供應商製程轉進不順，致使NAND快閃記憶體產能已出現缺口，
到8月下旬為止，主流128Gb TLC合約均價已較6月底漲10%以上，
DRAMeXchange預估第4季智慧型手機客戶拉貨力道仍不減，
供貨短缺情況料將延續，NAND Flash價格將會維持上漲，
模組廠備貨量是影響價格漲幅多寡的關鍵。

由 自由時報 轉載